IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies | Produse cu semiconductori discreți

IPB80N06S208ATMA2 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

IXYS

În stoc: 0

Preț unitar : 9,53897 lei

Similar

Vishay Siliconix

În stoc: 1.801

Preț unitar : 16,31000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB80N06S208ATMA2
Numărul produsului DigiKey	IPB80N06S208ATMA2-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB80N06S208ATMA2
Descriere	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB80N06S208ATMA2 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR)
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	55 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	80A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	7,7mOhm la 58A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2860 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	215W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3-2
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB80N