Name: IPB70N10S312ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB70N10S312ATMA1TR-ND
Price: 19.5173 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB70N10S312ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB70N10S312ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB70N10S312ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB70N10S312ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB70N10S312ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Termen de livrare standard al producătorului	9 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-2
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	70A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	11,3mOhm la 70A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 83µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4355 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	125W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3-2
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB70N10