Name: IPB70N10S312ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB70N10S312ATMA1TR-ND
Price: 20.7757 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB70N10S312ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB70N10S312ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB70N10S312ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB70N10S312ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB70N10S312ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-2
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 66 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 4355 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Nu pentru designuri noi	Disipare putere (Max) 125W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 70A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-3-2
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 11,3mOhm la 70A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 83µA	Număr produs de bază IPB70N10