Name: IPB65R190CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R190CFD7AATMA1TR-ND
Price: 20.2554 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB65R190CFD7AATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPB65R190CFD7AATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPB65R190CFD7AATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPB65R190CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB65R190CFD7AATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
Termen de livrare standard al producătorului	17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 14A (Tc) 77W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB65R190CFD7AATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	14A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	190mOhm la 6,4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,5V la 320µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1291 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	77W (Tc)
Temperatură de funcționare	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB65R190