IPB65R110CFDATMA1 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Echivalente parametric


Infineon Technologies
În stoc: 1.219
Preț unitar : 26,68000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 1.451
Preț unitar : 36,51000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 12,06755 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 915
Preț unitar : 11,50000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.143
Preț unitar : 30,59000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 8,03699 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 770
Preț unitar : 48,45000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.060
Preț unitar : 21,02000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 500
Preț unitar : 28,96000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 33,26000 lei
Fișă de date
Canal-N 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R110CFDATMA1

Numărul produsului DigiKey
IPB65R110CFDATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
IPB65R110CFDATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
IPB65R110CFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Numărul produsului producătorului
IPB65R110CFDATMA1
Descriere
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
110mOhm la 12,7A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 1,3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
3240 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
277,8W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.