Name: IPB65R041CFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R041CFD7ATMA1TR-ND
Price: 50.8321 RON
Availability: InStock

IPB65R041CFD7ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPB65R041CFD7ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPB65R041CFD7ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPB65R041CFD7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB65R041CFD7ATMA1
Descriere	HIGH POWER_NEW
Termen de livrare standard al producătorului	27 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB65R041CFD7ATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CFD7
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	50A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	41mOhm la 24,8A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,5V la 1,24mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4975 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	227W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB65R

Preț unitar fără TVA:	42,01000 lei
Preț unitar cu TVA:	50,83210 lei

IPB65R041CFD7ATMA1