IPB60R280C6ATMA1 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended


Infineon Technologies
În stoc: 6.167
Preț unitar : 11,27000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 3.807
Preț unitar : 16,60000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 605
Preț unitar : 14,09000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 437
Preț unitar : 16,39000 lei
Fișă de date
Canal-N 600 V 13,8A (Tc) 104W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 600 V 13,8A (Tc) 104W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB60R280C6ATMA1

Numărul produsului DigiKey
IPB60R280C6ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător
Numărul produsului producătorului
IPB60R280C6ATMA1
Descriere
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 13,8A (Tc) 104W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
280mOhm la 6,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,5V la 430µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
950 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
104W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.