IPB50N12S3L15ATMA1 Infineon Technologies | FET-uri, MOSFET-uri individuale

IPB50N12S3L15ATMA1 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

IXYS

În stoc: 0

Preț unitar : 18,86078 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB50N12S3L15ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB50N12S3L15ATMA1-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB50N12S3L15ATMA1
Descriere	MOSFET N-CHANNEL_100+
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 120 V 50A (Tc) 100W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-2
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 57 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 4180 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR)	Caracteristică FET –
Stare piesă Inactual	Disipare putere (Max) 100W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 120 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 50A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-3-2
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 15,7mOhm la 50A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 2,4V la 60µA	Număr produs de bază IPB50N12