Name: IPB35N10S3L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND
Price: 15.1976 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB35N10S3L26ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPB35N10S3L26ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPB35N10S3L26ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB35N10S3L26ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	9 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	35A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	26,3mOhm la 35A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,4V la 39µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2700 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	71W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB35N10