Name: IPB180P04P403ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB180P04P403ATMA2TR-ND
Price: 22.869 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB180P04P403ATMA2
Numărul produsului DigiKey	448-IPB180P04P403ATMA2TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPB180P04P403ATMA2CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPB180P04P403ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB180P04P403ATMA2
Descriere	MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB180P04P403ATMA2 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Infineon Technologies	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 17640 pF @ 25 V
Serie OptiMOS™ P2	Caracteristică FET –
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Disipare putere (Max) 150W (Tc)
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tip FET Canal P	Grad Automobile
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Calificare AEC-Q101
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 40 V	Tip montare Montare pe suprafață
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 180A (Tc)	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-7-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 2,8mOhm la 100A, 10V	Pachet/cutie TO-263-7, D2PAK (6 conductoare + lamelă)
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 410µA	Număr produs de bază IPB180
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 250 nC @ 10 V