Name: IPB120N04S402ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB120N04S402ATMA1TR-ND
Price: 18.2589 RON
Availability: InStock

IPB120N04S402ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB120N04S402ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB120N04S402ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB120N04S402ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB120N04S402ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 120A (Tc) 158W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB120N04S402ATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	120A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,8mOhm la 100A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 110µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	134 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	10740 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	158W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB120

Preț unitar fără TVA:	15,09000 lei
Preț unitar cu TVA:	18,25890 lei

IPB120N04S402ATMA1