IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies | Produse cu semiconductori discreți

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB120N03S4L03ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB120N03S4L03ATMA1-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB120N03S4L03ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 120A (Tc) 79W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR)
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	120A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	3mOhm la 100A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,2V la 40µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	5300 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	79W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB120