Name: IPB110N20N3LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB110N20N3LFATMA1TR-ND
Price: 48.8356 RON
Availability: OutOfStock

IPB110N20N3LFATMA1 nu mai este pe stoc și poate fi inclus în comenzi în așteptare.

Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended

Infineon Technologies

În stoc: 3.599

Preț unitar : 32,77000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB110N20N3LFATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB110N20N3LFATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB110N20N3LFATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB110N20N3LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB110N20N3LFATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB110N20N3LFATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 76 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™ 3	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 650 pF @ 100 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Ultima ocazie de cumpărare	Disipare putere (Max) 250W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 200 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 88A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 11mOhm la 88A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4,2V la 260µA	Număr produs de bază IPB110