Name: IPB095N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB095N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 31.8109 RON
Availability: InStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB095N20NM6ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPB095N20NM6ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPB095N20NM6ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPB095N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB095N20NM6ATMA1
Descriere	IPB095N20NM6ATMA1
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 200 V 13A（Ta），116A（Tc） 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-U01
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB095N20NM6ATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	13A（Ta），116A（Tc）
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V, 15V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	8.7 毫欧 @ 62A，15V
Vgs(th) (Max) la Id	4.5V @ 186µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	5500 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3-U01
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB