Name: IPB090N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB090N06N3GATMA1TR-ND
Price: 9.6558 RON
Availability: OutOfStock

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Despre DigiKey Marketplace Vindeți pe DigiKey.com Cariere Harta site-ului Soluții digitale Ştiri

Ajutor și asistență Stare comandă Tarife/opțiuni de expediere Probleme legate de comandă și retururi

(+40)-31-130 5070 eu.support@digikey.com

IPB090N06N3GATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB090N06N3GATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB090N06N3GATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB090N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB090N06N3GATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	14 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB090N06N3GATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	50A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	9mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 34µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2900 pF @ 30 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	71W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB090

Preț unitar fără TVA:	7,98000 lei
Preț unitar cu TVA:	9,65580 lei

IPB090N06N3GATMA1