Name: IPB040N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 19.9408 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB040N08NF2SATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPB040N08NF2SATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPB040N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB040N08NF2SATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 107A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB040N08NF2SATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	107A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	4mOhm la 80A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,8V la 85µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3800 pF @ 40 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,8W (Ta), 150W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB040N