Name: IPB038N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB038N12N3GATMA1TR-ND
Price: 27.1887 RON
Availability: InStock

IPB038N12N3GATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB038N12N3GATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB038N12N3GATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB038N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB038N12N3GATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB038N12N3GATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Nu pentru designuri noi
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	120 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	120A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	3,8mOhm la 100A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 270µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	211 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	13800 pF @ 60 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	300W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB038

Preț unitar fără TVA:	22,47000 lei
Preț unitar cu TVA:	27,18870 lei

IPB038N12N3GATMA1