Name: IPB026N06NATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB026N06NATMA1TR-ND
Price: 18.3678 RON
Availability: InStock

IPB026N06NATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB026N06NATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB026N06NATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB026N06NATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB026N06NATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	19 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 25A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB026N06NATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	25A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,6mOhm la 100A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,8V la 75µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4100 pF @ 30 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB026

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
1.000	4,51682 lei	4.516,82 lei
2.000	4,28398 lei	8.567,96 lei

Preț unitar fără TVA:	15,18000 lei
Preț unitar cu TVA:	18,36780 lei

IPB026N06NATMA1