Name: IPB025N08N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB025N08N3GATMA1TR-ND
Price: 28.9674 RON
Availability: InStock

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Despre DigiKey Marketplace Vindeți pe DigiKey.com Cariere Harta site-ului Soluții digitale Ştiri

Ajutor și asistență Stare comandă Tarife/opțiuni de expediere Probleme legate de comandă și retururi

(+40)-31-130 5070 eu.support@digikey.com

IPB025N08N3GATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPB025N08N3GATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB025N08N3GATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB025N08N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB025N08N3GATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB025N08N3GATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	120A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,5mOhm la 100A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,5V la 270µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	14200 pF @ 40 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	300W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB025

Preț unitar fără TVA:	23,94000 lei
Preț unitar cu TVA:	28,96740 lei

IPB025N08N3GATMA1