IPAN80R280P7XKSA1 Infineon Technologies | FET-uri, MOSFET-uri individuale

IPAN80R280P7XKSA1 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

Echivalente parametric

Infineon Technologies

În stoc: 1.466

Preț unitar : 20,11000 lei

Similar

onsemi

În stoc: 998

Preț unitar : 23,41000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPAN80R280P7XKSA1
Numărul produsului DigiKey	IPAN80R280P7XKSA1-ND
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPAN80R280P7XKSA1
Descriere	MOSFET N-CH 800V 17A TO220
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 800 V 17A (Tc) 30W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3-FP
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPAN80R280P7XKSA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 36 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie CoolMOS™ P7	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1200 pF @ 500 V
Ambalaj Tub	Caracteristică FET –
Stare piesă Inactual	Disipare putere (Max) 30W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 800 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 17A (Tc)	Tip montare Orificiu străpuns
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO220-3-FP
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 280mOhm la 7,2A, 10V	Pachet/cutie Pachet complet TO-220-3
Vgs(th) (Max) la Id 3,5V la 360µA	Număr produs de bază IPAN80