IPA65R420CFDXKSA1 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 149
Preț unitar : 16,37000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 49
Preț unitar : 16,50000 lei
Fișă de date

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 41
Preț unitar : 10,36000 lei
Fișă de date

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 32
Preț unitar : 11,32000 lei
Fișă de date
Canal-N 650 V 8,7A (Tc) 31,2W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3-111
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPA65R420CFDXKSA1

Numărul produsului DigiKey
IPA65R420CFDXKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IPA65R420CFDXKSA1
Descriere
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 8,7A (Tc) 31,2W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3-111
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
420mOhm la 3,4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 340µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
870 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
31,2W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-111
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.