IPA60R950C6XKSA1 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 0
Preț unitar : 8,07000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 87
Preț unitar : 11,10000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.746
Preț unitar : 8,64000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 497
Preț unitar : 12,37000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.877
Preț unitar : 7,50000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 992
Preț unitar : 10,18000 lei
Fișă de date
Canal-N 600 V 4,4A (Tc) 26W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-FP
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPA60R950C6XKSA1

Numărul produsului DigiKey
448-IPA60R950C6XKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IPA60R950C6XKSA1
Descriere
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 4,4A (Tc) 26W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-FP
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IPA60R950C6XKSA1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
950mOhm la 1,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,5V la 130µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
280 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
26W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.