IPA60R280P7SXKSA1 nu mai este pe stoc și poate fi inclus în comenzi în așteptare.
Produse înlocuitoare disponibile:

Echivalente parametric

IPAW60R280P7SE8228XKSA1
Infineon Technologies
În stoc: 0
Preț unitar : 2,70233 lei
Fișă de date

Echivalente parametric

IPA60R280P7SE8228XKSA1
Rochester Electronics, LLC
În stoc: 699.750
Preț unitar : 3,74960 lei
Fișă de date

Echivalente parametric

IPAW60R280P7SXKSA1
Rochester Electronics, LLC
În stoc: 551
Preț unitar : 4,01119 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
PG-TO220-FP
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPA60R280P7SXKSA1

Numărul produsului DigiKey
IPA60R280P7SXKSA1-ND
Producător
Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului
IPA60R280P7SXKSA1
Descriere
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Termen de livrare standard al producătorului
17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 12A (Tc) 24W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-FP
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IPA60R280P7SXKSA1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ P7
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
12A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
280mOhm la 3,8A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 190µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
761 pF @ 400 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
24W (Tc)
Temperatură de funcționare
-40°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet/cutie
Pachet complet TO-220-3
Număr produs de bază
IPA60R280
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

0 În stoc
Verificați termenul de livrare
Solicitare de notificare privind stocul
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
17,85000 lei7,85 lei
503,76520 lei188,26 lei
1003,36590 lei336,59 lei
5002,66448 lei1.332,24 lei
1.0002,43881 lei2.438,81 lei
2.0002,24902 lei4.498,04 lei
5.0002,06936 lei10.346,80 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:7,85000 lei
Preț unitar cu TVA:9,49850 lei
Produs asociatVizualizare toate
11 Articole
1EDN8511BXUSA1

1EDN8511BXUSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

2,57000 lei
2EDN7524FXTMA1

2EDN7524FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

3,49000 lei
IRS44273LTRPBF

IRS44273LTRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

2,92000 lei
2ED2184S06FXUMA1

2ED2184S06FXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

7,98000 lei
1EDI20N12AFXUMA1

1EDI20N12AFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

6,85000 lei
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

4,71000 lei
1ED3120MC12HXUMA1

1ED3120MC12HXUMA1

DGTL ISO 8KV 1CH GT DVR DSO8-66

Infineon Technologies

9,98000 lei
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

3,27000 lei
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

9,24000 lei
1EDI20I12MFXUMA1

1EDI20I12MFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

6,85000 lei
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

11,51000 lei