Canal-N 600 V 13,8A (Tc) 32W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-FP
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPA60R280P6XKSA1

Numărul produsului DigiKey
IPA60R280P6XKSA1-ND
Producător
Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului
IPA60R280P6XKSA1
Descriere
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
Termen de livrare standard al producătorului
22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 13,8A (Tc) 32W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-FP
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IPA60R280P6XKSA1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ P6
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
13,8A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
280mOhm la 5,2A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 430µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
25.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1190 pF @ 100 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
32W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet/cutie
Pachet complet TO-220-3
Număr produs de bază
IPA60R280
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 805
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
110,79000 lei10,79 lei
505,29740 lei264,87 lei
1004,76160 lei476,16 lei
5003,82256 lei1.911,28 lei
1.0003,52070 lei3.520,70 lei
2.0003,26684 lei6.533,68 lei
5.0003,19735 lei15.986,75 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:10,79000 lei
Preț unitar cu TVA:13,05590 lei
Produs asociatVizualizare toate
9 Articole
1EDN8511BXUSA1

1EDN8511BXUSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

2,85000 lei
2EDN7524FXTMA1

2EDN7524FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

3,86000 lei
IRS44273LTRPBF

IRS44273LTRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

3,25000 lei
1EDI20N12AFXUMA1

1EDI20N12AFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

7,55000 lei
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

5,18000 lei
2EDL05N06PFXUMA1

2EDL05N06PFXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DSO

Infineon Technologies

5,75000 lei
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

3,64000 lei
2ED2106S06FXUMA1

2ED2106S06FXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

5,75000 lei
2ED2101S06FXUMA1

2ED2101S06FXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

5,75000 lei
V-ar mai putea interesa și
1 Articole
TK190A65Z,S4X

TK190A65Z,S4X

MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

18,43000 lei