Name: IPA60R190E6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA60R190E6XKSA1-ND
Price: 6.7799 RON
Availability: OutOfStock

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Despre DigiKey Marketplace Vindeți pe DigiKey.com Cariere Harta site-ului Soluții digitale Ştiri

Ajutor și asistență Stare comandă Tarife/opțiuni de expediere Probleme legate de comandă și retururi

(+40)-31-130 5070 eu.support@digikey.com

IPA60R190E6XKSA1
Numărul produsului DigiKey	IPA60R190E6XKSA1-ND
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPA60R190E6XKSA1
Descriere	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 20,2A (Tc) 34W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-FP
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPA60R190E6XKSA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Nu pentru designuri noi
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	20,2A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	190mOhm la 9,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,5V la 630µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1400 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	34W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO220-FP
Pachet/cutie	Pachet complet TO-220-3
Număr produs de bază	IPA60R

Preț unitar fără TVA:	5,60322 lei
Preț unitar cu TVA:	6,77990 lei

IPA60R190E6XKSA1