Canal-N 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-4-U02
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMZA75R008M1HXKSA1

Numărul produsului DigiKey
448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IMZA75R008M1HXKSA1
Descriere
SILICON CARBIDE MOSFET
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-4-U02
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IMZA75R008M1HXKSA1 Modele
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Categorie
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
178 nC @ 500 V
Prod.
Vgs (Max)
+23V, -5V
Serie
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
6137 pF @ 500 V
Ambalaj
Tub
Caracteristică FET
Stare piesă
Nu pentru designuri noi
Disipare putere (Max)
517W (Tc)
Tip FET
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie
Grad
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
750 V
Calificare
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tip montare
Orificiu străpuns
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
15V, 20V
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-4-U02
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
7,2mOhm la 90,3A, 20V
Pachet/cutie
Vgs(th) (Max) la Id
5,6V la 32,4mA
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
În stoc: 240
Verificați stoc primit suplimentar
Nerecomandat pentru modele noi, se pot aplica minime.
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
1189,61000 lei189,61 lei
30125,17033 lei3.755,11 lei
120111,09850 lei13.331,82 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:189,61000 lei
Preț unitar cu TVA:229,42810 lei