
IMZA75R008M1HXKSA1 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | IMZA75R008M1HXKSA1 |
Descriere | SILICON CARBIDE MOSFET |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-4-U02 |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | IMZA75R008M1HXKSA1 Modele |
Categorie | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 178 nC @ 500 V |
Prod. | Vgs (Max) +23V, -5V |
Serie | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 6137 pF @ 500 V |
Ambalaj Tub | Caracteristică FET – |
Stare piesă Nu pentru designuri noi | Disipare putere (Max) 517W (Tc) |
Tip FET | Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ) |
Tehnologie | Grad – |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 750 V | Calificare – |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | Tip montare Orificiu străpuns |
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 15V, 20V | Pachet dispozitiv furnizor PG-TO247-4-U02 |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 7,2mOhm la 90,3A, 20V | Pachet/cutie |
Vgs(th) (Max) la Id 5,6V la 32,4mA |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 189,61000 lei | 189,61 lei |
| 30 | 125,17033 lei | 3.755,11 lei |
| 120 | 111,09850 lei | 13.331,82 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 189,61000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 229,42810 lei |


