Name: IMT65R50M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND
Price: 39.7243 RON
Availability: InStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMT65R50M2HXUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMT65R50M2HXUMA1
Descriere	SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Termen de livrare standard al producătorului	13 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMT65R50M2HXUMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	48,1A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V, 18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	62mOhm la 18,2A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	5,6V la 3,7mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	790 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	237W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HSOF-8-2
Pachet/cutie	8-PowerSFN

Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 2.000

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®