Name: IMT65R057M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R057M1HXUMA1TR-ND
Price: 50.6143 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMT65R057M1HXUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMT65R057M1HXUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMT65R057M1HXUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMT65R057M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMT65R057M1HXUMA1
Descriere	SILICON CARBIDE MOSFET
Referință client
Descriere detaliată	– 650 V – – Montare pe suprafață PG-HSOF-8-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMT65R057M1HXUMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs(th) (Max) la Id –
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) –
Serie CoolSiC™	Caracteristică FET –
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Disipare putere (Max) –
Stare piesă Nu pentru designuri noi	Temperatură de funcționare –
Tip FET –	Grad –
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Calificare –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Tip montare Montare pe suprafață
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C –	Pachet dispozitiv furnizor PG-HSOF-8-2
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 18V	Pachet/cutie 8-PowerSFN
Rds pornit (Max) la Id, Vgs –