Name: IMT65R030M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R030M1HXUMA1TR-ND
Price: 57.2451 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMT65R030M1HXUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMT65R030M1HXUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMT65R030M1HXUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMT65R030M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMT65R030M1HXUMA1
Descriere	SILICON CARBIDE MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	– 650 V – – Montare pe suprafață PG-HSOF-8-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMT65R030M1HXUMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	–
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	–
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	–
Vgs(th) (Max) la Id	–
Vgs (Max)	–
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	–
Temperatură de funcționare	–
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HSOF-8-2
Pachet/cutie	8-PowerSFN