Name: IMDQ75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 168.795 RON
Availability: OutOfStock

Canal-N 840 V 222A (Tc) 789W (Tc) Montare pe suprafață PG-HDSOP-22

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMDQ75R007M2HXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMDQ75R007M2HXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMDQ75R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMDQ75R007M2HXTMA1
Descriere	IMDQ75R007M2HXTMA1
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 840 V 222A (Tc) 789W (Tc) Montare pe suprafață PG-HDSOP-22
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMDQ75R007M2HXTMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 171 nC @ 18 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) +23V, -7V
Serie CoolSiC™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 5922 pF @ 500 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 789W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 840 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 222A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 15V, 20V	Pachet dispozitiv furnizor PG-HDSOP-22
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 6.1 毫欧 @ 131.5A，20V	Pachet/cutie Modul 22-PowerBSOP
Vgs(th) (Max) la Id 5.6V @ 28.9mA