Name: IMDQ75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 156.1021 RON
Availability: InStock

Nou la DigiKey

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMDQ75R007M2HXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMDQ75R007M2HXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMDQ75R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMDQ75R007M2HXTMA1
Descriere	IMDQ75R007M2HXTMA1
Termen de livrare standard al producătorului	23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 840 V 222A (Tc) 789W (Tc) Montare pe suprafață PG-HDSOP-22
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMDQ75R007M2HXTMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	840 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	222A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V, 20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	6.1 毫欧 @ 131.5A，20V
Vgs(th) (Max) la Id	5.6V @ 28.9mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	171 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	5922 pF @ 500 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	789W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HDSOP-22
Pachet/cutie	Modul 22-PowerBSOP