Name: IMCQ120R040M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R040M2HXTMA1TR-ND
Price: 61.5406 RON
Availability: InStock

IMCQ120R040M2HXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMCQ120R040M2HXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMCQ120R040M2HXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMCQ120R040M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMCQ120R040M2HXTMA1
Descriere	SICFET N-CH 1200V 56A 22PWRBSOP
Termen de livrare standard al producătorului	39 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 56A (Tc) 288W (Tc) Montare pe suprafață PG-HDSOP-22-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMCQ120R040M2HXTMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	56A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V, 18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	39,6mOhm la 17,5A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	5,1V la 5,5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	42.4 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1660 pF @ 800 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	288W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HDSOP-22-3
Pachet/cutie	Modul 22-PowerBSOP

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
750	21,68052 lei	16.260,39 lei
1.500	21,62394 lei	32.435,91 lei

Preț unitar fără TVA:	50,86000 lei
Preț unitar cu TVA:	61,54060 lei

IMCQ120R040M2HXTMA1