Name: IMBG65R040M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R040M2HXTMA1TR-ND
Price: 44.1045 RON
Availability: InStock

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Despre DigiKey Marketplace Vindeți pe DigiKey.com Cariere Harta site-ului Soluții digitale Ştiri

Ajutor și asistență Stare comandă Tarife/opțiuni de expediere Probleme legate de comandă și retururi

(+40)-31-130 5070 eu.support@digikey.com

IMBG65R040M2HXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMBG65R040M2HXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMBG65R040M2HXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMBG65R040M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMBG65R040M2HXTMA1
Descriere	SILICON CARBIDE MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 49A (Tc) 197W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7-12
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	49A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V, 20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	49mOhm la 22,9A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	5,6V la 4,6mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	997 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	197W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-7-12
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Număr produs de bază	IMBG65R040

Preț unitar fără TVA:	36,45000 lei
Preț unitar cu TVA:	44,10450 lei

IMBG65R040M2HXTMA1