Name: IMBG65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 72.0071 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMBG65R020M2HXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMBG65R020M2HXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMBG65R020M2HXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMBG65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMBG65R020M2HXTMA1
Descriere	SILICON CARBIDE MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 91A (Tc) 326W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7-12
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	91A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V, 20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	24mOhm la 46,9A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	5,6V la 9,5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	57 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+23V, -7V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2038 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	326W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-7-12
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Număr produs de bază	IMBG65R020