Name: IMBG120R350M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND
Price: 27.6969 RON
Availability: InStock

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Despre DigiKey Marketplace Vindeți pe DigiKey.com Cariere Harta site-ului Soluții digitale Ştiri

Ajutor și asistență Stare comandă Tarife/opțiuni de expediere Probleme legate de comandă și retururi

(+40)-31-130 5070 eu.support@digikey.com

IMBG120R350M1HXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMBG120R350M1HXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMBG120R350M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMBG120R350M1HXTMA1
Descriere	SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 4,7A (Tc) 65W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7-12
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMBG120R350M1HXTMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	4,7A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	468mOhm la 2A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	5,7V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	5.9 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+18V, -15V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	196 pF @ 800 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	65W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-7-12
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Număr produs de bază	IMBG120

Preț unitar fără TVA:	22,89000 lei
Preț unitar cu TVA:	27,69690 lei

IMBG120R350M1HXTMA1