Name: IMBG120R116M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R116M2HXTMA1TR-ND
Price: 33.1298 RON
Availability: InStock

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Despre DigiKey Marketplace Vindeți pe DigiKey.com Cariere Harta site-ului Soluții digitale Ştiri

Ajutor și asistență Stare comandă Tarife/opțiuni de expediere Probleme legate de comandă și retururi

(+40)-31-130 5070 eu.support@digikey.com

IMBG120R116M2HXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMBG120R116M2HXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMBG120R116M2HXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMBG120R116M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMBG120R116M2HXTMA1
Descriere	SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 21,2A (Tc) 123W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7-12
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	21,2A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V, 18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	115,7mOhm la 6A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	5,1V la 1,9mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	14.4 nC @ 18 V
Vgs (Max)	Ieșire +23V, Ieșire -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	500 pF @ 800 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	123W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-7-12
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Număr produs de bază	IMBG120R116

Preț unitar fără TVA:	27,38000 lei
Preț unitar cu TVA:	33,12980 lei

IMBG120R116M2HXTMA1