Name: IMBG120R078M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R078M2HXTMA1TR-ND
Price: 39.3492 RON
Availability: InStock

IMBG120R078M2HXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMBG120R078M2HXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMBG120R078M2HXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMBG120R078M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMBG120R078M2HXTMA1
Descriere	SICFET N-CH 1200V 29A TO263
Termen de livrare standard al producătorului	45 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 29A (Tc) 158W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7-12
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	29A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V, 18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	78,1mOhm la 8,9A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	5,1V la 2,8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	20.6 nC @ 18 V
Vgs (Max)	Ieșire +23V, Ieșire -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	700 pF @ 800 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	158W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-7-12
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Număr produs de bază	IMBG120R078

Preț unitar fără TVA:	32,52000 lei
Preț unitar cu TVA:	39,34920 lei

IMBG120R078M2HXTMA1