Name: IMBG120R030M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R030M1HXTMA1TR-ND
Price: 97.405 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IMBG120R030M1HXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IMBG120R030M1HXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IMBG120R030M1HXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IMBG120R030M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IMBG120R030M1HXTMA1
Descriere	SICFET N-CH 1200V 56A TO263
Termen de livrare standard al producătorului	54 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 56A (Tc) 300W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7-12
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IMBG120R030M1HXTMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) +18V, -15V
Prod. Infineon Technologies	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2290 pF @ 800 V
Serie CoolSiC™	Caracteristică FET –
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Disipare putere (Max) 300W (Tc)
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tip FET Canal-N	Grad –
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Calificare –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1200 V	Tip montare Montare pe suprafață
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 56A (Tc)	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-7-12
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 41mOhm la 25A, 18V	Pachet/cutie TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Vgs(th) (Max) la Id 5,7V la 11,5mA	Număr produs de bază IMBG120
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 63 nC @ 18 V