IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies | Produse cu semiconductori discreți

IGT60R070D1ATMA4 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended

Infineon Technologies

În stoc: 585

Preț unitar : 29,17000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IGT60R070D1ATMA4
Numărul produsului DigiKey	448-IGT60R070D1ATMA4TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IGT60R070D1ATMA4CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IGT60R070D1ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IGT60R070D1ATMA4
Descriere	GANFET N-CH
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8-3
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	31A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	–
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	–
Vgs(th) (Max) la Id	1,6V la 2,6mA
Vgs (Max)	-10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	380 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	125W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HSOF-8-3
Pachet/cutie	8-PowerSFN