IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies | FET-uri, MOSFET-uri individuale

IGT60R070D1ATMA4 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended

Infineon Technologies

În stoc: 1.991

Preț unitar : 36,24000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IGT60R070D1ATMA4
Numărul produsului DigiKey	448-IGT60R070D1ATMA4TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IGT60R070D1ATMA4CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IGT60R070D1ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IGT60R070D1ATMA4
Descriere	GANFET N-CH
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8-3
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs(th) (Max) la Id 1,6V la 2,6mA
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) -10V
Serie CoolGaN™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 380 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Inactual	Disipare putere (Max) 125W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie GaNFET (nitrură de galiu)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 600 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 31A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) –	Pachet dispozitiv furnizor PG-HSOF-8-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs –	Pachet/cutie 8-PowerSFN