Diodă 650 V 8A Orificiu străpuns PG-TO220-2-1
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IDH08G65C5XKSA2

Numărul produsului DigiKey
448-IDH08G65C5XKSA2-ND
Producător
Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului
IDH08G65C5XKSA2
Descriere
DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2201
Termen de livrare standard al producătorului
61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Diodă 650 V 8A Orificiu străpuns PG-TO220-2-1
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IDH08G65C5XKSA2 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™+
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tehnologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensiune - Inversare c.c. (Vr) (Max)
650 V
Curent - Mediu rectificat (Io)
8A
Tensiune - Directă (Vf) (Max) la If
1.7 V @ 8 A
Viteză
Zero timp recuperare > 500mA (Io)
Timp recuperare inversă (trr)
0 ns
Curent - Scurgere inversă la Vr
140 µA @ 650 V
Capacitanță la Vr, F
250pF la 1V, 1MHz
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet/cutie
TO-220-2
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-2-1
Temperatură de funcționare - Joncțiune
-55°C – 175°C
Număr produs de bază
IDH08G65
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 137
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
116,19000 lei16,19 lei
508,19280 lei409,64 lei
1007,41690 lei741,69 lei
5006,05642 lei3.028,21 lei
1.0005,61944 lei5.619,44 lei
2.0005,33221 lei10.664,42 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:16,19000 lei
Preț unitar cu TVA:19,58990 lei