Name: IAUZN10S7L289ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN10S7L289ATMA1TR-ND
Price: 7.1753 RON
Availability: InStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IAUZN10S7L289ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IAUZN10S7L289ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IAUZN10S7L289ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IAUZN10S7L289ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IAUZN10S7L289ATMA1
Descriere	MOSFET_(75V 120V(
Termen de livrare standard al producătorului	12 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 27A (Tj) 45W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSDSON-8-44
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IAUZN10S7L289ATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	27A (Tj)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	28,9mOhm la 14A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 9µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	14.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	557 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	45W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TSDSON-8-44
Pachet/cutie	8-PowerTDFN