Name: IAUT200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 26.3901 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IAUT200N08S5N023ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IAUT200N08S5N023ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IAUT200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IAUT200N08S5N023ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Termen de livrare standard al producătorului	27 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8-1
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IAUT200N08S5N023ATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 110 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 7670 pF @ 40 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 200W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 80 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 200A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-HSOF-8-1
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 2,3mOhm la 100A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) la Id 3,8V la 130µA	Număr produs de bază IAUT200