Name: IAUCN08S7L110ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7L110ATMA1TR-ND
Price: 7.9134 RON
Availability: InStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IAUCN08S7L110ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IAUCN08S7L110ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IAUCN08S7L110ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IAUCN08S7L110ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IAUCN08S7L110ATMA1
Descriere	IAUCN08S7L110ATMA1
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 50A (Tj) 58W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-34
Modele EDA/CAD	IAUCN08S7L110ATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	50A (Tj)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	11mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 14µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	19.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1056 pF @ 40 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	58W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TDSON-8-34
Pachet/cutie	8-PowerTDFN