Name: IAUCN04S7N004ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7N004ATMA1TR-ND
Price: 18.513 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IAUCN04S7N004ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IAUCN04S7N004ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IAUCN04S7N004ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IAUCN04S7N004ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IAUCN04S7N004ATMA1
Descriere	MOSFET_(20V 40V)
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 175A 219W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-53
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IAUCN04S7N004ATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	175A
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	7V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	0,44mOhm la 88A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3V la 130µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	169 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	11310 pF @ 20 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	219W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TDSON-8-53
Pachet/cutie	8-PowerTDFN