Name: IAUC60N10S5L110ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC60N10S5L110ATMA1TR-ND
Price: 11.6402 RON
Availability: InStock

Canal-N 100 V 60A (Tc) 88W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-33

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IAUC60N10S5L110ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IAUC60N10S5L110ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IAUC60N10S5L110ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IAUC60N10S5L110ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IAUC60N10S5L110ATMA1
Descriere	MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Termen de livrare standard al producătorului	35 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 60A (Tc) 88W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-33
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IAUC60N10S5L110ATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 24.1 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1665 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 88W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 60A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TDSON-8-33
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 11mOhm la 30A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,2V la 30µA