
FF6MR20W2M1HB70BPSA1 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 448-FF6MR20W2M1HB70BPSA1-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | FF6MR20W2M1HB70BPSA1 |
Descriere | FF6MR20W2M1HB70BPSA1 |
Termen de livrare standard al producătorului | 10 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Matrice MOSFET 2000V (2kV) 160A (Tj) – Cu montare pe carcasă – |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | FF6MR20W2M1HB70BPSA1 Modele |
Tip | Descriere | Selectare globală |
|---|---|---|
Categorie | ||
Producător | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Ambalaj | Tavă | |
Stare piesă | Activ | |
Tehnologie | Silicon carbid (SiC) | |
Configurație | Canal 2 N (Semi-punte) | |
Caracteristică FET | – | |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) | 2000V (2kV) | |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | 160A (Tj) | |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs | 8,1mOhm la 160A, 18V | |
Vgs(th) (Max) la Id | 5,15V la 112mA | |
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs | 780nC la 3V | |
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds | 24100pF la 1,2kV | |
Putere - Max | – | |
Temperatură de funcționare | -40°C – 175°C (TJ) | |
Grad | – | |
Calificare | – | |
Tip montare | Cu montare pe carcasă | |
Pachet/cutie | Modul | |
Pachet dispozitiv furnizor | – |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 950,57000 lei | 950,57 lei |
| 15 | 902,57533 lei | 13.538,63 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 950,57000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 1.150,18970 lei |

