FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Produse cu semiconductori discreți

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FF11MR12W1M1B11BOMA1
Numărul produsului DigiKey	FF11MR12W1M1B11BOMA1-ND
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	FF11MR12W1M1B11BOMA1
Descriere	MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 100A – Cu montare pe carcasă Modul
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Ambalaj	Tavă
Stare piesă	Inactual
Tehnologie	Silicon carbid (SiC)
Configurație	Canal 2 N (dublu)
Caracteristică FET	–
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200V (1,2kV)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	100A
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	11mOhm la 100A, 15V
Vgs(th) (Max) la Id	5,55V la 40mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	250nC la 15V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	7950pF la 800V
Putere - Max	–
Temperatură de funcționare	-40°C – 150°C (TJ)
Tip montare	Cu montare pe carcasă
Pachet/cutie	Modul
Pachet dispozitiv furnizor	Modul
Număr produs de bază	FF11MR12