
F48MR12W2M1HB70BPSA1 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 448-F48MR12W2M1HB70BPSA1-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | F48MR12W2M1HB70BPSA1 |
Descriere | LOW POWER EASY |
Termen de livrare standard al producătorului | 29 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 100A 20mW Cu montare pe carcasă – |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | F48MR12W2M1HB70BPSA1 Modele |
Tip | Descriere | Selectare globală |
|---|---|---|
Categorie | ||
Producător | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Ambalaj | Tavă | |
Stare piesă | Activ | |
Tehnologie | Silicon carbid (SiC) | |
Configurație | 4 canale N (punte completă) | |
Caracteristică FET | – | |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | 100A | |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs | 12mOhm la 100A, 18V | |
Vgs(th) (Max) la Id | 5,15V la 40mA | |
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs | 297nC la 18V | |
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds | 8800pF la 800V | |
Putere - Max | 20mW | |
Temperatură de funcționare | -40°C – 175°C (TJ) | |
Grad | – | |
Calificare | – | |
Tip montare | Cu montare pe carcasă | |
Pachet/cutie | Modul | |
Pachet dispozitiv furnizor | – |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 803,70000 lei | 803,70 lei |
| 15 | 700,50867 lei | 10.507,63 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 803,70000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 972,47700 lei |



