
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
Descriere | MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B |
Termen de livrare standard al producătorului | 8 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Matrice MOSFET 1200V (1,2kV) 85A (Tj) – Cu montare pe carcasă AG-EASY2B |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Modele |
Tip | Descriere | Selectare globală |
|---|---|---|
Categorie | ||
Producător | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Ambalaj | Tavă | |
Stare piesă | Activ | |
Tehnologie | Silicon carbid (SiC) | |
Configurație | Canal 2 N (Semi-punte) | |
Caracteristică FET | – | |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | 85A (Tj) | |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs | 12mOhm la 100A, 18V | |
Vgs(th) (Max) la Id | 5,15V la 40mA | |
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs | 297nC la 18V | |
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds | 8800pF la 800V | |
Putere - Max | – | |
Temperatură de funcționare | -40°C – 175°C (TJ) | |
Tip montare | Cu montare pe carcasă | |
Pachet/cutie | Modul | |
Pachet dispozitiv furnizor | AG-EASY2B | |
Număr produs de bază |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 507,07000 lei | 507,07 lei |
| 18 | 431,52611 lei | 7.767,47 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 507,07000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 613,55470 lei |

