Name: BSZ16DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 14.5321 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

BSZ16DN25NS3GATMA1
Numărul produsului DigiKey	BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) BSZ16DN25NS3GATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) BSZ16DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSZ16DN25NS3GATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 250 V 10,9A (Tc) 62,5W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSDSON-8
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSZ16DN25NS3GATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 11.4 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 920 pF @ 100 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 62,5W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 250 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 10,9A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TSDSON-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 165mOhm la 5,5A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 32µA	Număr produs de bază BSZ16DN25