Name: BSP149H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP149H6327XTSA1TR-ND
Price: 8.0707 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

BSP149H6327XTSA1
Numărul produsului DigiKey	BSP149H6327XTSA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) BSP149H6327XTSA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) BSP149H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSP149H6327XTSA1
Descriere	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Termen de livrare standard al producătorului	10 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal N, mod epuizare 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Montare pe suprafață PG-SOT223-4
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSP149H6327XTSA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal N, mod epuizare
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	660mA (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	0V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,8Ohm la 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	1V la 400µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	14 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	430 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	1,8W (Ta)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-SOT223-4
Pachet/cutie	TO-261-4, TO-261AA
Număr produs de bază	BSP149